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Detector de arsénico de InGaAs de indio y galio

NegociableActualización en05/10
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Descripción general

Detector de arsénico de InGaAs de indio y galio

Detalles del producto

Detector de arsénico de InGaAs de indio y galio

Características:

● sensibilidad hasta1700nm

● corriente baja y oscura

● el área de actividad puede alcanzar0,7 a 7 mm cuadrados


Modelo

Superficie efectiva

Respuesta espectral (a / w)

Corriente oscura (na) @ 5v

Condensadores (pf) @ 5v

Ancho de banda (nm)

Chip

Encapsulamiento

Tamaño (mm)

Superficie (mm cuadrados)

@650 nm / @1550 nm

PC0.7-i

LCC6.1

1

0.7

0,05 / 0,95

2

70

900... 1.700

PC0.7-ix

LCC6.1

1

0.7

0,3 / 0,95

2

70

600... 1.700

PC0.7-ix

TO52S1

1

0.7

0,3 / 0,95

2

70

600... 1.700

PC7.1-i

TO5i

3

0.7

0,05 / 0,95

25

700

900... 1.700


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